集成电路铜互连钌阻挡层异质材料去除选择性的研究

更新时间:2023-05-28

【摘要】针对集成电路铜互连钌阻挡层异质材料（包括Cu、Ru、TEOS）在化学机械抛光（CMP）中选择性差的问题,在SiO2–H2O2体系抛光液中研究了（NH4）2SO4和2,2′-{[（甲基-1H-苯并三唑-1-基）甲基]亚氨基}双乙醇（TT）对Cu、Ru、TEOS去除速率的影响,并使用钌阻挡层图形片对抛光液的平坦化性能进行验证。结果表明,（NH4）2SO4的添加可以提高Cu、Ru和TEOS的去除速率,进一步加入TT后,Cu的去除速率减小,Ru和TEOS的去除速率基本不变。采用由5%（质量分数,下同）SiO2、0.15%H2O2、40 mmol/L （NH4）2SO4和1 g/L TT组成的抛光液对钌阻挡层图形片化学机械抛光30 s后,碟形坑和蚀坑的深度得到了有效降低。

【关键词】 铜 钌 二氧化硅 化学机械抛光 硫酸铵 2 2′-{(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基亚氨基}双乙醇

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